碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范(2021-01-15)

近日，北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟對外發(fā)布《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見稿，望相關(guān)部門提出寶貴意見。本文件自2021年1月1日開始實(shí)施?！　”緲?biāo)準(zhǔn)引…[詳情]

采用熱掃描探針光刻和激光直寫相結(jié)合的方法快速制備點(diǎn)接觸量子點(diǎn)硅基晶體管(2019-02-27)

制造高品質(zhì)的固態(tài)硅基量子器件要求高分辨率的圖形書寫技術(shù)，同時(shí)要避免對基底材料的損害。來自IBM實(shí)驗(yàn)室的Rawlings等人利用SwissLitho公司生產(chǎn)的3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)NanoFrazor，結(jié)合其高分辨熱探…[詳情]