碳化硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范(2021-01-15)

近日，北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟對外發(fā)布《碳化硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見稿，望相關(guān)部門提出寶貴意見。本文件自2021年1月1日開始實施?！　”緲藴室?a href='http://bhmbl.cn/news/d256632.html' target='_blank' class='iii'>[詳情]

采用熱掃描探針光刻和激光直寫相結(jié)合的方法快速制備點接觸量子點硅基晶體管(2019-02-27)

制造高品質(zhì)的固態(tài)硅基量子器件要求高分辨率的圖形書寫技術(shù)，同時要避免對基底材料的損害。來自IBM實驗室的Rawlings等人利用SwissLitho公司生產(chǎn)的3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機NanoFrazor，結(jié)合其高分辨熱探…[詳情]