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反射法

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  • 《硅片薄膜厚度的測試 光學反射法》意見征求(2020-11-10)

    為了防止在外延過程中的自摻雜，通常會在硅片背表面生產一層氧化膜作為背封膜，而膜厚及其均勻性以對多晶層的質量及均勻性會直接影響集成電路后續(xù)工藝的成品率，故而需要對該工藝進行有序規(guī)范…[詳情]

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