《硅片薄膜厚度的測(cè)試 光學(xué)反射法》意見(jiàn)征求

作者： 2020年11月10日 來(lái)源：全球化工設(shè)備網(wǎng) 瀏覽量：
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為了防止在外延過(guò)程中的自摻雜，通常會(huì)在硅片背表面生產(chǎn)一層氧化膜作為背封膜，而膜厚及其均勻性以對(duì)多晶層的質(zhì)量及均勻性會(huì)直接影響集成電路后續(xù)工藝的成品率，故而需要對(duì)該工藝進(jìn)行有序規(guī)范
　　為了防止在外延過(guò)程中的自摻雜，通常會(huì)在硅片背表面生產(chǎn)一層氧化膜作為背封膜，而膜厚及其均勻性以對(duì)多晶層的質(zhì)量及均勻性會(huì)直接影響集成電路后續(xù)工藝的成品率，故而需要對(duì)該工藝進(jìn)行有序規(guī)范。
 
　　在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，薄膜厚度測(cè)量是單晶硅晶圓表面介電材料和光刻膠等薄膜厚度及平整度質(zhì)量控制的重要手段，測(cè)量方法也有很多，包括有光譜反射法、邁克爾遜干涉儀、橢圓偏振法、X 射線干涉法、β射線反射散射法、顏色比較法等，但很多方法在使用中受到許多條件的限制，測(cè)試過(guò)程也很復(fù)雜，不能滿足實(shí)際生產(chǎn)快速準(zhǔn)確的要求。為了改變這一情形，有研半導(dǎo)體材料股份有限公司根據(jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)管理委員會(huì)關(guān)于下達(dá)第一批推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃的通知》的要求，起草編制了《硅片薄膜厚度的測(cè)試 光學(xué)反射法》。
 
　　為確保標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)性、適用性和可行性，起草組是按照GB/T 1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草的，并引用了GB/T 14264《半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)》和GB/T 25915.1《潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境 第1部分：空氣潔凈度等級(jí)》。
 
　　閱讀標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿后可知，《硅片薄膜厚度的測(cè)試 光學(xué)反射法》規(guī)定了采用光學(xué)反射法測(cè)試硅片表面二氧化硅或多晶薄膜層厚度的方法，該方法需要用到的儀器設(shè)備包括有光源、具有可以接收反射光束的光譜儀、光纖和組合鏡頭、樣品臺(tái)和控制系統(tǒng)。
 
　　為確保實(shí)驗(yàn)順利進(jìn)行，標(biāo)準(zhǔn)中還指出了應(yīng)對(duì)干擾因素的贏多方法：環(huán)境中強(qiáng)光、磁場(chǎng)、溫度、濕度等波動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果會(huì)造成影響，故而推薦在6級(jí)或以上的潔凈實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行實(shí)驗(yàn)操作；樣品的表面粗糙度對(duì)測(cè)試結(jié)果存在影響，應(yīng)對(duì)其做鏡面拋光處理；樣品表面的薄膜與作為樣品襯底的材料有時(shí)候不能擬合出理想的曲線，需要在兩者之間加一層其他材料；若測(cè)試薄膜的厚度不夠，達(dá)不到一個(gè)周期的反射率振蕩，可通過(guò)調(diào)節(jié)入射波長(zhǎng)等條件達(dá)到理想的擬合曲線。
 
　　本標(biāo)準(zhǔn)將作為推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布實(shí)施，相信其能有利于薄膜測(cè)試的簡(jiǎn)化和規(guī)范薄膜厚度的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，促進(jìn)行業(yè)的統(tǒng)一和對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的把控，并助集成電路國(guó)有化的研究與發(fā)展一臂之力。
 
　　更多詳情請(qǐng)點(diǎn)擊：《硅片薄膜厚度的測(cè)試 光學(xué)反射法》征求意見(jiàn)稿
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