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IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 華科智源功率器件測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì),封裝測(cè)試,軌道交通,電動(dòng)
功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 華科智源功率器件測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件
二極管測(cè)試設(shè)備 二極管測(cè)試設(shè)備 華科智源功率器件測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件
三極管測(cè)試設(shè)備 三極管測(cè)試設(shè)備 華科智源功率器件測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件
MOS管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀 華科智源功率器件測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件
SiC器件測(cè)試設(shè)備 SiC器件測(cè)試設(shè)備 華科智源功率器件測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件
分立器件測(cè)試儀 分立器件測(cè)試儀 設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。
晶體管圖示儀 晶體管圖示儀 設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。
10us浪涌電流測(cè)試儀 10us浪涌電流測(cè)試儀 華科智源-二極管浪涌電流測(cè)試儀,可測(cè)試二極管,MOS,IGBT,以及SIC器件浪涌電流能力,可輸出底寬10ms,8.3ms,1ms,10us等正弦半波或方波,浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,12
10us方波浪涌測(cè)試儀 10us方波浪涌測(cè)試儀 華科智源-二極管浪涌電流測(cè)試儀,可測(cè)試二極管,MOS,IGBT,以及SIC器件浪涌電流能力,可輸出底寬10ms,8.3ms,1ms,10us等正弦半波或方波
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