產(chǎn)品展示
所有產(chǎn)品：共搜索到41 個(gè)符合條件的產(chǎn)品
| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)單介紹 |
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柵極電阻/電容測(cè)試儀 | 華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可以單點(diǎn)測(cè)試，也可以掃描測(cè)試曲線； |
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cv曲線測(cè)試儀 | 華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可以單點(diǎn)測(cè)試，也可以掃描測(cè)試曲線； |
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結(jié)電容測(cè)試儀 | 華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可以單點(diǎn)測(cè)試，也可以掃描測(cè)試曲線； |
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半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試，軌道交通 |
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大功率模塊測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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功率器件測(cè)試儀 | 1) 物理規(guī)格 設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm； 質(zhì)量：30kg 2) 環(huán)境要求 海拔高度：海拔不超過(guò) 1000m； 儲(chǔ)存環(huán)境：-20℃～50℃； |
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IGBT測(cè)試機(jī) | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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半導(dǎo)體器件測(cè)試儀 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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分立器件測(cè)試系統(tǒng) | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |
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IGBT檢測(cè)設(shè)備 | 華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試 |