產(chǎn)地：武漢
規(guī)格：PMST-3500
公司所在地：湖北武漢
電話：18140663476
大功率IGBT測試設(shè)備的簡單介紹集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容大功率IGBT測試設(shè)備的詳細(xì)信息PMST系列大功率IGBT測試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴(kuò)展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試，并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。 針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動化測試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。 從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋 從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋 從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋 產(chǎn)品特點(diǎn) 1、高電壓、大電流 具有高電壓測量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（蕞大可擴(kuò)展至10kV） 具有大電流測量/輸出能力，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)） 2、高精度測量 nA級漏電流，μΩ級導(dǎo)通電阻 0.1％精度測量 四線制測試 3、模塊化配置 可根據(jù)實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元 系統(tǒng)預(yù)留升級空間，后期可添加或升級測量單元 4、測試效率高 內(nèi)置專用開關(guān)矩陣，根據(jù)測試項(xiàng)目自動切換電路與測量單元 支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試 5、軟件功能豐富 上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測試項(xiàng)目模板，可直接調(diào)取使用 支持曲線繪制 自動保存測試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出 開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成 6、擴(kuò)展性好 支持常溫及低溫、高溫測試 可靈活定制各種夾具 可與探針臺，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動使用 硬件特色與性能優(yōu)勢 1、大電流輸出響應(yīng)快，無過沖 采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測試過程中，大電流典型上升時間為15μs， 脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測試方式，可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。 2、高壓測試支持恒壓限流，恒流限壓模式 采用自主開發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止 器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞。
規(guī)格參數(shù)
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