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大功率IGBT測(cè)試設(shè)備的簡(jiǎn)單介紹集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容大功率IGBT測(cè)試設(shè)備的詳細(xì)信息PMST系列大功率IGBT測(cè)試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。 針對(duì)用戶不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。 從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋 從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋 從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋 產(chǎn)品特點(diǎn) 1、高電壓、大電流 具有高電壓測(cè)量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（蕞大可擴(kuò)展至10kV） 具有大電流測(cè)量/輸出能力，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)） 2、高精度測(cè)量 nA級(jí)漏電流，μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 0.1％精度測(cè)量 四線制測(cè)試 3、模塊化配置 可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元 系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間，后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元 4、測(cè)試效率高 內(nèi)置專用開(kāi)關(guān)矩陣，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元 支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試 5、軟件功能豐富 上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板，可直接調(diào)取使用 支持曲線繪制 自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出 開(kāi)放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成 6、擴(kuò)展性好 支持常溫及低溫、高溫測(cè)試 可靈活定制各種夾具 可與探針臺(tái)，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用 硬件特色與性能優(yōu)勢(shì) 1、大電流輸出響應(yīng)快，無(wú)過(guò)沖 采用自主開(kāi)發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過(guò)程響應(yīng)快、無(wú)過(guò)沖。測(cè)試過(guò)程中，大電流典型上升時(shí)間為15μs， 脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測(cè)試方式，可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來(lái)的誤差。 2、高壓測(cè)試支持恒壓限流，恒流限壓模式 采用自主開(kāi)發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開(kāi)響應(yīng)快、無(wú)過(guò)沖。在擊穿電壓測(cè)試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止 器件因過(guò)壓或過(guò)流導(dǎo)致?lián)p壞。
規(guī)格參數(shù)
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