基本半導(dǎo)體推出支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片
基本半導(dǎo)體推出支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片
前 言
相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點，越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等領(lǐng)域。在橋式電路中，碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度會使得串?dāng)_行為更容易發(fā)生，也會更容易發(fā)生誤開通現(xiàn)象，所以如何有效可靠地驅(qū)動碳化硅MOSFET至關(guān)重要。我們發(fā)現(xiàn)，如果在驅(qū)動電路中使用米勒鉗位功能，可以有效地抑制碳化硅 MOSFET誤開通的風(fēng)險，從而提高系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性。
為此基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出可支持米勒鉗位功能的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計，能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的誤開通，該驅(qū)動芯片目前被廣泛應(yīng)用于光伏儲能、充電樁、車載OBC、服務(wù)器電源等領(lǐng)域中。
一. 驅(qū)動碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析
1.1 在實際應(yīng)用中，特別是在橋式電路中，功率器件容易發(fā)生串?dāng)_行為，在串?dāng)_行為下，門極電壓會被抬高，一旦門極電壓超過功率器件的開啟電壓，將會使已關(guān)閉的功率器件出現(xiàn)誤開通現(xiàn)象，從而造成直流母線短路。為減少誤開通的風(fēng)險，傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT通常在驅(qū)動電路中采取構(gòu)建負(fù)電壓關(guān)斷的方法，負(fù)壓絕對值越高，抑制誤開通的效果就越好。
如下圖所示硅IGBT的驅(qū)動電路中，一般硅IGBT的驅(qū)動正電壓是+15V，在關(guān)斷期間，串?dāng)_電流Igd（紅色線）會流經(jīng)Ciss, 在關(guān)斷電阻Roff和IGBT內(nèi)部柵極電阻Rg兩端，產(chǎn)生左負(fù)右正的電壓，這兩個電壓疊加在IGBT門極，此時IGBT會有誤開通的風(fēng)險。為防止誤開通，需要采用負(fù)電壓關(guān)斷，負(fù)電壓通常在-8V左右，最高-10V。
1.2 相較于硅IGBT，碳化硅MOSFET 具有開關(guān)速度更快、開啟電壓更低、門極耐負(fù)電壓能力低等三個特性，使得碳化硅MOSFET更易觸發(fā)串?dāng)_行為，更加容易發(fā)生誤導(dǎo)通風(fēng)險。
以下表格為硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具體參數(shù)和性能數(shù)值對比。
硅MOSFET和IGBT的門極耐負(fù)壓極限可達(dá)-30V, 而碳化硅MOSFET只有-8V, 碳化硅MOSFET對驅(qū)動電壓負(fù)值的忍耐能力明顯低于硅 MOSFET和IGBT，使得碳化硅MOSFET在實際應(yīng)用中驅(qū)動負(fù)電壓通常在-2～-4V的水平，使用負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷的幅度明顯少于硅MOSFET和IGBT。
碳化硅MOSFET的開啟電壓Vgs(th)是1.8V～2.7V，比硅MOSFET和IGBT的開啟電壓Vgs(th)要低一半，Vgs(th)越低，越容易誤開通，而且Vgs(th)會隨著TJ溫度上升而下降，所以在高溫時，Vgs(th)將變得更低，也更容易導(dǎo)致誤開通。
同時，碳化硅MOSFET的開關(guān)速度是硅MOSFET和IGBT的兩倍以上，而串?dāng)_電流Igd=Cgd×（dv/dt），dv/dt越大，Igd越大，越容易誤開通。
綜上所述，碳化硅MOSFET容易發(fā)生誤開通現(xiàn)象。為降低誤開通風(fēng)險，在碳化硅MOSFET的驅(qū)動電路中加入米勒鉗位功能顯得尤為重要。如下圖所示，門極驅(qū)動芯片的米勒鉗位管腳直接連接到碳化硅MOSFET的門極，串?dāng)_電流Igd（如下圖紅線）會流經(jīng)Ciss→Rg→Q3再到負(fù)電源軌，形成了一條更低阻抗的門極電荷泄放回路。驅(qū)動芯片內(nèi)部比較器的翻轉(zhuǎn)電壓閾值為2V（相對芯片對地電壓），在碳化硅 MOSFET關(guān)斷期間，當(dāng)門極電壓高于2V時，比較器輸出從低電平翻轉(zhuǎn)到高電平，MOSFET (Q3)被打開, 使得門極以更低阻抗拉到負(fù)電源軌，從而保證碳化硅MOSFET的負(fù)電壓被更有效關(guān)斷，達(dá)到抑制誤開通的效果。
二. 驅(qū)動碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能實際測試效果
2.1 在雙脈沖平臺進(jìn)行測試，雙脈沖原理如下圖所示:
2.2 原理圖說明：
上管(B)作為開關(guān)管接收脈沖PWM信號，下管(DUT)處于關(guān)斷狀態(tài)，下管(DUT)靠體二極管續(xù)流負(fù)載電感Lload的電流。
在上管(B)開通狀態(tài)下，下管(DUT)發(fā)生串?dāng)_行為時，由于米勒現(xiàn)象的存在，門極電壓將會產(chǎn)生一定的波動。因此，我們可以通過觀察下管(DUT)門極電壓的波動大小來判斷米勒鉗位功能的作用。
如圖是驅(qū)動電路原理圖，驅(qū)動芯片型號為BTD5350MCWR，是一款帶米勒鉗位功能的驅(qū)動芯片，碳化硅MOSFET型號為B2M040120Z, 規(guī)格1200V/ 40mΩ，封裝TO-247-4。
2.3 雙脈沖測試平臺實測數(shù)據(jù)對比
2.3.1 測試條件：上管VGS=0V/+18V；下管VGS=0V；Vbus=800V；ID=40A；
Rg=8.2Ω；Lload=200uH；TA=25℃。
無米勒鉗位功能，上管dv/dt=14.51V/ns，上管di/dt=2.24A/ns
有米勒鉗位功能,上管dv/dt=14.51V/ns，上管di/dt=2.24A/ns
從實測波形可知，當(dāng)采用0V關(guān)斷下管且無米勒鉗位時，下管門極電壓被抬高到7.3V，下管被誤開通，直流母線短路直通；
當(dāng)采用0V關(guān)斷下管且有米勒鉗位時，下管門極電壓被抬高2V，下管沒有被誤開通，米勒鉗位功能抑制效果明顯。
2.3.2 測試條件：
上管VGS=-4V/+18V；
下管VGS=-4V；
Vbus=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=200uH；TA=25℃。
無米勒鉗位功能，上管dv/dt=14.51V/ns，上管di/dt=2.24A/ns
從實測波形可知，當(dāng)采用-4V關(guān)斷下管且無米勒鉗位時，下管門極電壓被抬高到2.8V，在開啟電壓附近，存在一定的誤開通風(fēng)險，特別是在高溫時，MOSFET的開啟電壓會降低，將增加誤開通的風(fēng)險；
當(dāng)采用-4V關(guān)斷下管且有米勒鉗位時，下管門極電壓有被抬高，但下管仍是處于負(fù)電壓關(guān)斷狀態(tài)，米勒鉗位功能抑制效果明顯，MOSFET無誤開通的風(fēng)險。
三. 帶米勒鉗位的門極驅(qū)動芯片產(chǎn)品推薦：BTD25350
BTD25350是基本半導(dǎo)體自主研發(fā)、采用電容隔離雙通道帶米勒鉗位，專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動而設(shè)計的一款驅(qū)動芯片。
產(chǎn)品特點
原邊帶使能禁用管腳DIS，死區(qū)時間設(shè)置管腳DT
共模抑制CMTI可達(dá)150kV/μs
副邊帶米勒鉗位功能
輸出峰值電流可達(dá)10A
電源全電壓高達(dá)33V
原副邊封裝爬電間距大于8.5mm，絕緣電壓可達(dá)5000Vrms
副邊兩驅(qū)動器爬電間距大于3mm，支持VDC=1850V母線工作電壓
采用SOW-18寬體封裝
副邊電源欠壓保護(hù)閾值為8V和11V
應(yīng)用方向
充電樁中后級LLC用碳化硅MOSFET方案
光伏儲能BUCK-BOOST中碳化硅MOSFET方案
高頻APF用兩電平的三相全橋碳化硅MOSFET方案
空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋碳化硅MOSFET方案
車載OBC后級LLC中的碳化硅MOSFET方案
服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂可采用氮化鎵HEMT或碳化硅MOSFET方案
功能框圖
產(chǎn)品列表
結(jié) 論
綜上，在驅(qū)動碳化硅MOSFET時引入米勒鉗位功能非常必要，采用基本半導(dǎo)體自研的BTD25350MM驅(qū)動芯片能夠高效可靠地抑制誤開通，該驅(qū)動芯片目前被廣泛應(yīng)用于光伏儲能、充電樁、車載OBC、服務(wù)器電源等領(lǐng)域中。大家在使用碳化硅MOSFET進(jìn)行方案設(shè)計時，為規(guī)避誤導(dǎo)通風(fēng)險，建議選擇BTD25350驅(qū)動芯片系列產(chǎn)品。