半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀iv、cv一鍵測(cè)

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀iv、cv一鍵測(cè)的簡(jiǎn)單介紹

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀iv、cv一鍵測(cè)的詳細(xì)信息

概述：

SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀iv、cv一鍵測(cè)是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開發(fā)，具有桌越的測(cè)量效率與可靠性。

基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要，靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量，同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量。SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開發(fā)的專用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件,支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠從測(cè)量設(shè)置、執(zhí)行、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過(guò)程，實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力；

測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度；

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便；

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)；

在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)；

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集；

典型應(yīng)用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導(dǎo)體材料/器件；

有機(jī)OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導(dǎo)體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量；

太陽(yáng)能電池；

非易失性存儲(chǔ)設(shè)備；

失效分析；

目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測(cè)試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測(cè)試性能均處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位。此外，在大功率激光器測(cè)試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測(cè)試及老化電源市場(chǎng)，普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的需求。更多有關(guān)半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀iv、cv一鍵測(cè)的信息上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢

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