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《硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法》意見征求

作者： 2020年04月02日 來源：全球化工設(shè)備網(wǎng) 瀏覽量：
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硅單晶是典型的元素半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的熱性能與機(jī)械性能，是目前最重要、用途廣泛的半導(dǎo)體材料。一般而言，硅單晶的電阻率是最直接、最重要的參數(shù)，直接反映出了晶體的純度和導(dǎo)電能力，在器件設(shè)計時，根據(jù)器件的
　　硅單晶是典型的元素半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的熱性能與機(jī)械性能，是目前最重要、用途廣泛的半導(dǎo)體材料。一般而言，硅單晶的電阻率是最直接、最重要的參數(shù)，直接反映出了晶體的純度和導(dǎo)電能力，在器件設(shè)計時，根據(jù)器件的種類、特性以及制作工藝等條件，對硅單晶的電阻率的均勻和可靠都有一定的要求。
 
　　對硅單晶電阻率的測試就至關(guān)重要，目前測試硅單晶電阻率一般利用原理簡單、數(shù)據(jù)處理簡便的探針法，但已有的標(biāo)準(zhǔn)對該方法的使用環(huán)境要求過于嚴(yán)格，很多企業(yè)和實驗室無法滿足，因此在充分考慮四探針和兩探針法的干擾因素后，信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心 、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所在國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會的主管下，對原標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了制修訂。
 
　　據(jù)悉，《硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法》的修訂工作是根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)委關(guān)于下達(dá)2018年第三批國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃的通知》進(jìn)行的，嚴(yán)格遵循了GB/T 1.1-2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》的原則進(jìn)行編制。相較于原標(biāo)準(zhǔn)，主要變動如下：修改了兩種測試方法的環(huán)境溫度條件為23℃5℃；修改了兩種測試方法的干擾因素，將測試在暗室進(jìn)行改為測試盡量在光線較暗的環(huán)境或遮光罩中進(jìn)行；方法1直排四探針法硅單晶電阻率范圍按P型和N型分別規(guī)定；方法1直排四探針法中增加了對使用試劑的要求；方法1直排四探針法7.1.1中增加了探針的形狀；方法1直流四探針法中細(xì)化了超聲清洗步驟；方法2直流兩探針法中增加了干擾因素等。
 
　　閱讀標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿后可知，直排四探針法需要工具顯微鏡、機(jī)械或電子厚度測量儀、研磨或噴砂設(shè)備、散熱器、千分尺或游標(biāo)卡尺、溫度計或其他測溫儀器、歐姆計等儀器設(shè)備，原理是排列成一直線的四根探針垂直地壓在近似為半無窮大的平坦試樣表面上，將直流電流在兩外探針間通入試樣，測量內(nèi)側(cè)兩探針間所產(chǎn)生的電勢差，根據(jù)測得的電流和電勢差值進(jìn)行計算即可。直流兩探針法的原理是讓直流電流通過試樣兩端，并使兩根探針垂直壓在試樣側(cè)面，測量兩根探針間的電位差后，根據(jù)公式即可計算出電阻率，而這一試驗的結(jié)果準(zhǔn)確率受光照、電阻率不均勻、電磁、電場、溫度探針振動的影響，因此需分別在5個實驗室進(jìn)行循環(huán)試驗，以確保結(jié)果的精密與準(zhǔn)確。
 
　　本標(biāo)準(zhǔn)是對GB/T 1551-2009《《硅單晶電阻率的測定方法》》的修訂和補充，僅修訂了試驗技術(shù)內(nèi)容和格式，與現(xiàn)行的有關(guān)法律、法規(guī)及國家標(biāo)準(zhǔn)、國家軍用標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)沒有沖突。為此希望相關(guān)單位在仔細(xì)研核后能提出建設(shè)性的意見，為標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)性、適用性和可行性添磚加瓦。
 
　　更多詳情請點擊：《硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法》征求意見稿
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