《硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法》意見征求(2020-04-02)

硅單晶是典型的元素半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的熱性能與機(jī)械性能，是目前最重要、用途廣泛的半導(dǎo)體材料。一般而言，硅單晶的電阻率是最直接、最重要的參數(shù)，直接反映出了晶體的純度和導(dǎo)電能力，在器件設(shè)計(jì)時(shí)…[詳情]

《硅單晶中氮含量的測定 二次離子質(zhì)譜法》即將制訂(2019-11-12)

但目前在硅單晶中氮元素的測試方法方面還是空白，無論是紅外光譜法還是二次離子質(zhì)譜法國內(nèi)目前都尚無相關(guān)測試標(biāo)準(zhǔn)，只能借鑒SEMI MF2139-1103進(jìn)行測試。為此，國家相關(guān)機(jī)構(gòu)近期計(jì)劃制定一項(xiàng)有關(guān)于氮…[詳情]

6英寸碳化硅單晶襯底研制成功[組圖](2014-12-22)

近日，中國科學(xué)院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室（籌）先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)人員與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。 據(jù)悉，碳化硅屬…[詳情]