中科院科研裝備研制項目“晶片級器件輻照及輻射效應參數(shù)提取設備”通過驗收

作者: 2017年06月07日 來源: 瀏覽量:
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5月26日,中國科學院條件保障與財務局組織專家對中國科學院新疆理化技術研究所承擔的中科院科研裝備研制項目“晶片級器件輻照及輻射效應參數(shù)提取設備”進行了驗收。   驗收專家組現(xiàn)場考核了儀器設備的技

  5月26日,中國科學院條件保障與財務局組織專家對中國科學院新疆理化技術研究所承擔的中科院科研裝備研制項目“晶片級器件輻照及輻射效應參數(shù)提取設備”進行了驗收。

  驗收專家組現(xiàn)場考核了儀器設備的技術指標,認真聽取了項目工作報告,經質詢和討論,專家組一致認為該設備同時實現(xiàn)了晶片級器件輻照試驗、器件特性參數(shù)在線提取功能,在國內率先突破了晶片級器件加電偏置輻照技術,為器件輻射效應精確建模、商用代工線的抗輻射性能評估提供了有效的測試手段;研制的設備可適用不同種類器件的輻照,具有結構一體化、操作自動化的特點,全部技術指標均達到或優(yōu)于預期目標。之前國內由于不具備適用于器件輻射效應提參建模的試驗平臺,無法在器件設計、流片階段給出加固建議,評估抗輻射性能,一定程度上增加了研發(fā)成本,延長了生產周期。該設備突破了這一技術瓶頸,填補了該領域的國內空白,為晶片級器件輻照、提參提供試驗條件,形成面向抗輻射器件研制全過程的輻射效應試驗評估、提參建模共性技術服務平臺,為元器件設計加固工藝的發(fā)展提供試驗技術支撐。

  該設備已成功應用于中科院微電子研究所、中電集團44所、杭州電子科技大學、長光辰芯光電公司等單位的微納MOS器件、CCD器件、CMOS圖像傳感器、半導體射頻電路的輻射效應評估驗證,獲得了用戶的高度認可,為國產抗輻射器件的研制與試驗評估提供了有效的試驗手段。

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