光電所在半導(dǎo)體材料特性測量技術(shù)方面取得進(jìn)展(2016-04-07)

半導(dǎo)體材料是微電子器件和光伏器件的基礎(chǔ)材料，其雜質(zhì)和缺陷特性嚴(yán)重影響器件性能。隨著微電子器件集成度和光伏器件轉(zhuǎn)換效率的提高，對半導(dǎo)體原材料的要求越來越高。為了滿足工業(yè)化生產(chǎn)的需求，相應(yīng)…[詳情]

金屬所研制出窄帶隙分布半導(dǎo)體性單壁碳納米管(2016-03-31)

單壁碳納米管（SWCNT）因碳原子排布方式不同可表現(xiàn)為金屬性或半導(dǎo)體性，其中半導(dǎo)體性SWCNT具有納米尺度、良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、可調(diào)的帶隙和高載流子遷移率，被認(rèn)為是構(gòu)建高性能場效應(yīng)晶體管的理想溝道材…[詳情]

SEMICON CHINA2016國際半導(dǎo)體展完美落幕(2016-03-28)

全球半導(dǎo)體業(yè)界規(guī)格最高、規(guī)模最大的“嘉年華”—SEMICON CHINA 2016近日在上海新國際博覽中心完美閉幕，這是一場包攬全球領(lǐng)先半導(dǎo)體制造技術(shù)的盛會，是SEMI為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游間交流合作而打造…[詳情]

半導(dǎo)體所在柔性一維光電探測器研究方面取得系列進(jìn)展(2016-03-23)

隨著科學(xué)技術(shù)日新月異的發(fā)展，人們對便攜化、娛樂化、健康化的可穿戴式電子設(shè)備不斷追求，促使其相應(yīng)的柔性傳感器件向著高效、低成本、大面積制造等方向發(fā)展。近些年，為了實(shí)現(xiàn)光電探測器的便攜化和可移…[詳情]

國內(nèi)首條工廠化非半導(dǎo)體基底材料的MEMS傳感器生產(chǎn)線即將誕生(2016-03-11)

隨著科技的發(fā)展，智能機(jī)器人逐步進(jìn)入了人們的生活。傳感器作為機(jī)器人的硬件之一，市場隨著其發(fā)展而持續(xù)擴(kuò)大?！?a href='http://bhmbl.cn/news/d173451.html' target='_blank' class='iii'>[詳情]

新半導(dǎo)體材料類似石墨烯(2016-03-09)

近日，從肯塔基大學(xué)傳來消息，該學(xué)校從理論上驗(yàn)證了一種一層原子厚度的二維晶體存在，類似新型納米材料石墨烯。 　　科學(xué)家通過計(jì)算機(jī)模型驗(yàn)證了即使在1000℃，該材料結(jié)構(gòu)仍十分穩(wěn)定。如果材料在現(xiàn)實(shí)中成…[詳情]

半導(dǎo)體所發(fā)表關(guān)于不同類型層狀材料拉曼散射光譜的綜述論文(2016-03-07)

由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室科研人員張昕和譚平恒撰寫的關(guān)于不同類型層狀材料的拉曼散射光譜的綜述論文，近日在Nanoscale發(fā)表(XinZhang,Qing-HaiTan,Jiang-BinWu,WeiSh…[詳情]

半導(dǎo)體所在人造仿生電子皮膚研究方面取得新進(jìn)展(2016-03-07)

電子皮膚即新型可穿戴柔性仿生觸覺傳感器，是一種用于實(shí)現(xiàn)仿人類觸覺感知功能的人造柔性電子器件。該類器件在消費(fèi)電子、軍事、醫(yī)療健康等領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用潛力。相對于聽覺、視覺而言，觸覺感官的?！?a href='http://bhmbl.cn/news/d173202.html' target='_blank' class='iii'>[詳情]

半導(dǎo)體所合作在鐵磁體系觀測到雙通道近藤效應(yīng)(2016-03-04)

尋找物質(zhì)新基態(tài)是凝聚態(tài)物理的重要前沿課題，也是科學(xué)家同行們激烈競爭的大舞臺。金、銅、銀等傳統(tǒng)金屬中電子基態(tài)稱為費(fèi)米液體。近年來，隨著科學(xué)技術(shù)的突破式發(fā)展，諸如拓?fù)涑瑢?dǎo)態(tài)、拓?fù)浣^緣態(tài)、維爾半…[詳情]

詳解半導(dǎo)體5納米制程技術(shù)及成本挑戰(zhàn)(2016-03-01)

導(dǎo)讀：半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)（DP）。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。 　　 　　半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所…[詳情]