芯片測(cè)試?yán)錈釠_擊實(shí)驗(yàn)箱的簡(jiǎn)單介紹

芯片測(cè)試?yán)錈釠_擊實(shí)驗(yàn)箱的詳細(xì)信息

芯片測(cè)試?yán)錈釠_擊實(shí)驗(yàn)箱是一種模擬自然界溫度急 劇變化的試驗(yàn)設(shè)備,通過(guò)它能測(cè)試產(chǎn)品在溫度快速變化的過(guò)程中所受到的物理和化學(xué)方面的損害,從而發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品潛在的質(zhì)量問(wèn)題，進(jìn)而對(duì)其改進(jìn)優(yōu)化。冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)是金屬、塑料、航空、航天、橡膠、電子等材料行業(yè)不可或缺的試驗(yàn)設(shè)備。

芯片測(cè)試?yán)錈釠_擊實(shí)驗(yàn)箱符合標(biāo)準(zhǔn)：

1、GB 10589-89 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件2、GB 10592-89 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件3、GB/T5170.2-1996 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 溫度試驗(yàn)設(shè)備4、GB/T2423.1-2008(IEC60068-2-1：2007) 《低溫試驗(yàn)方法Ab》5、GB/T2423.2-2008(IEC60068-2-2：2007) 《高溫試驗(yàn)方法Bb》

6、GJB150.3A-2009裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第3部分：高溫試驗(yàn)

7、GJB150.4A-2009裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第3部分：低溫試驗(yàn)

8、GJB150.5-1986溫度沖擊試驗(yàn)

性能參數(shù)參考如下：

一、低溫沖擊可選擇溫度范圍：A-20℃;B-40℃;C:55℃;D:-65℃（廠家還免費(fèi)配高溫至150度）。

二、溫度偏差：±2℃。

三、溫度波動(dòng)度：±0.5℃。

四、溫度恢復(fù)時(shí)間：≤5min。

五、溫度恢復(fù)條件：高溫150℃曝露30min低溫-20℃曝露30min，高溫150℃曝露30min低溫-40℃曝露30min，高溫150℃曝露30min低溫-55℃曝露30min，高溫150℃曝露30min低溫-65℃曝露30min。

六、溫度沖擊轉(zhuǎn)移方式：采用氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)。

七、高溫室儲(chǔ)溫的升溫時(shí)間：30min (+25℃～+200℃)。

八、低溫室儲(chǔ)溫的降溫時(shí)間：65min (+25℃～-75℃)。

九、低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)|低溫沖擊機(jī)|沖擊試驗(yàn)機(jī)工作時(shí)的噪音：（dB）≤65( 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定≤65分貝不算噪音）

十、型號(hào) 內(nèi)箱尺寸（mm) 外箱尺寸（mm） 功率（kw)

LQ-TS-49 W360×H350×D400 W1550×H1730×D1440 18.5

LQ-TS-80 W500×H400×D400 W1650×H1830×D1500 23.0

LQ-TS-150 W600×H500×D500 W1750×H1930×D1570 28.0

LQ-TS-225 W500×H750×D600 W1450×H2100×D1670 34.0

LQ-TS-408 W750×H800×D800 W1550×H2150×D1900 42.0

以上是芯片測(cè)試?yán)錈釠_擊實(shí)驗(yàn)箱的詳細(xì)信息，如果您對(duì)芯片測(cè)試?yán)錈釠_擊實(shí)驗(yàn)箱的價(jià)格、廠家、型號(hào)、圖片有任何疑問(wèn)，請(qǐng)聯(lián)系我們獲取芯片測(cè)試?yán)錈釠_擊實(shí)驗(yàn)箱的最新信息