中國首條8英寸IGBT芯片線建成

【摘要】中國首條8英寸IGBT專業(yè)芯片線20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片技術(shù)上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。

    中國首條8英寸IGBT專業(yè)芯片線20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片技術(shù)上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。

　　與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)(通常所說的CPU)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動化和智能化水平。主要應(yīng)用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動設(shè)備中。

　　IGBT芯片技術(shù)含量極高，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。過去，全球IGBT技術(shù)主要掌握在歐洲和日本等少數(shù)幾個國家手中。中國的IGBT芯片及其相關(guān)產(chǎn)品99%以上依賴進口，國內(nèi)在芯片、封裝、裝置、系統(tǒng)還沒有形成獨立、完整的技術(shù)體系和產(chǎn)業(yè)體系。

　　經(jīng)過20多年的研發(fā)，中國南車上百位專家攻克了30多項重大難題，終于掌握了該器件的成套技術(shù)，建立了完整的IGBT規(guī)模化、專業(yè)化生產(chǎn)工業(yè)體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

　　這條投資近15億元的8英寸IGBT生產(chǎn)線首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。

　　中國工程院院士、南車株洲電力機車研究所總經(jīng)理丁榮軍說，據(jù)初步估算，如果將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到全國20%的電機中，每年可節(jié)約用電2000億千瓦時，相當(dāng)于2個叁峽電站的年發(fā)電量。同時，中國自主研發(fā)的高功率等級的IGBT對涉及國家經(jīng)濟安全、國防安全等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要。