2020年全球第三代半導體材料行業(yè)市場需求分析

作者： 2021年01月04日 來源： 瀏覽量：
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以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的的第三代半導體材料主要用于電力電子、微波射頻和光電子器件的制造。其中，電力電子器件主要應(yīng)用于消費類或工業(yè)、商業(yè)電源的制造，未來隨著新能源汽車的廣泛應(yīng)
　　以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的的第三代半導體材料主要用于電力電子、微波射頻和光電子器件的制造。其中，電力電子器件主要應(yīng)用于消費類或工業(yè)、商業(yè)電源的制造，未來隨著新能源汽車的廣泛應(yīng)用，該領(lǐng)域的應(yīng)用比例將大幅增長;而在GaN射頻器件的下游應(yīng)用領(lǐng)域中，國防和基站是最大的應(yīng)用領(lǐng)域，未來隨著5G基站的應(yīng)用推廣，GaN射頻器件在基站的應(yīng)用占比將有所提升。
 
　　1、第三代半導體材料應(yīng)用于三大器件的制造
 
　　以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AIN)為代表的寬禁帶半導體材料，被稱為第三代半導體材料，目前發(fā)展較為成熟的是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，其主要應(yīng)用于電力電子器件和射頻器件制造中。
 
圖表1：第三代半導體材料應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域
2、2020年電力電子器件規(guī)模將達6.9億美元
 
　　在電力電子板塊，SiC是電力電子器件的主要材料，而GaN的應(yīng)用占比相對較小。數(shù)據(jù)顯示，2018-2019年，全球SiC和GaN在電力電子器件的應(yīng)用規(guī)模有所增長，2019年達6.4億美元;據(jù)Yole預(yù)測，2020年，SiC和GaN的電力電子器件市場規(guī)模將達6.9億美元，增速有所下降，主要受全球疫情的影響。
 
圖表2：2018-2020年全球第三代半導體材料在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模及預(yù)測(單位：億美元)
　　隨著產(chǎn)業(yè)技術(shù)的成熟，SiC及GaN器件相較于Si器件的性能優(yōu)勢愈發(fā)明顯，第三代功率器件的滲透率逐步提升，應(yīng)用領(lǐng)域越發(fā)廣泛。
 
　　以GaN電力電子器件的應(yīng)用情況為例，2018-2019年，主要應(yīng)用于消費類電源領(lǐng)域，至2025年，新能源汽車的應(yīng)用將占據(jù)主導地位，至2030年，工業(yè)市場的應(yīng)用也開始起步。
 
圖表3：2018-2030年全球GaN電力電子器件應(yīng)用領(lǐng)域的演進
3、射頻器件主要應(yīng)用于基站、國防領(lǐng)域
 
　　在微波射頻板塊，GaN是射頻器件的主要原料。2019年，全球GaN在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模達7.4億美元，較2018年增長了0.95億美元;據(jù)yole預(yù)測，2020年GaN在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模將達9.3億美元。
 
圖表4：2018-2020年全球第三代半導體材料在微波射頻領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模及預(yù)測(單位：億美元)
　　2019年，GaN射頻器件的下游應(yīng)用領(lǐng)域中，國防是最大的應(yīng)用領(lǐng)域，應(yīng)用規(guī)模達3.42億美元，占比約46;其次是基站領(lǐng)域，市場應(yīng)用規(guī)模達3.18億美元，占比約43%。據(jù)yole預(yù)測，隨著5G基站的應(yīng)用推廣，GaN射頻器件在基站的應(yīng)用占比將有所提升。
 
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