“HR-ICPMS測(cè)試無機(jī)雜質(zhì)檢測(cè)方法”項(xiàng)目順利通過驗(yàn)收

作者： 2019年11月28日 來源：中國(guó)儀表網(wǎng) 瀏覽量：
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為了提高我國(guó)的計(jì)量檢定和檢測(cè)技術(shù)水平，上海市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究院在計(jì)量基標(biāo)準(zhǔn)器的研制和建立中也不斷取得成績(jī)。研制并建立的部分計(jì)量基準(zhǔn)、計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)裝置已經(jīng)達(dá)到了國(guó)內(nèi)或國(guó)際同類裝置的較好水平。
　　為了提高我國(guó)的計(jì)量檢定和檢測(cè)技術(shù)水平，上海市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究院在計(jì)量基標(biāo)準(zhǔn)器的研制和建立中也不斷取得成績(jī)。研制并建立的部分計(jì)量基準(zhǔn)、計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)裝置已經(jīng)達(dá)到了國(guó)內(nèi)或國(guó)際同類裝置的較好水平。
 
　　據(jù)悉，近日，國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局科技和財(cái)務(wù)司組織專家對(duì)上海計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究院承擔(dān)的總局科技計(jì)劃項(xiàng)目“HR-ICPMS測(cè)試高純有機(jī)試劑中無機(jī)雜質(zhì)檢測(cè)方法與應(yīng)用研究”(項(xiàng)目編號(hào)：2017QK085)進(jìn)行了驗(yàn)收。驗(yàn)收專家組認(rèn)為項(xiàng)目達(dá)到了規(guī)定的考核指標(biāo)，一致同意項(xiàng)目通過驗(yàn)收。
 
　　該項(xiàng)目建立了HR-ICPMS測(cè)試高純有機(jī)試劑中無機(jī)雜質(zhì)的方法，參與了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的編寫，綜合技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，滿足對(duì)高純有機(jī)試劑的檢測(cè)要求。項(xiàng)目成果已應(yīng)用于高純有機(jī)試劑企業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量控制、雜質(zhì)檢測(cè)及方法驗(yàn)證。
 
　　HR-ICPMS技術(shù)原理就是，ICP-MS將ICP離子源與MS檢測(cè)技術(shù)完美結(jié)合的無機(jī)分析技術(shù)，Inductively Coupled Plasma(ICP)離子源是利用高溫等離子體(Ar)將樣品中待分析的元素離子化成為帶電荷離子的裝置，而Mass Spectrometer(MS)質(zhì)譜是帶電離子按照質(zhì)荷比(質(zhì)量/荷電，m/q或m/z)的大小順序排列。
 
　　項(xiàng)目成果的應(yīng)用與推廣將加快我國(guó)高純?cè)噭?biāo)準(zhǔn)化建設(shè)的步伐，為提升高純?cè)噭┨貏e是集成電路和生物醫(yī)藥用高純?cè)噭┵|(zhì)量提供技術(shù)支撐。
 
　　正超凈高純?cè)噭┦羌呻娐?IC)和超大規(guī)模集成電路(VLSI)制造過程中的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料之一,主要用于芯片的清洗和腐蝕。具有品種多、用量大、技術(shù)要求高等特點(diǎn)。在現(xiàn)階段,集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路(VLSI)制造過程中,仍普遍沿用濕法工藝。因此,超凈高純?cè)噭┰陔娐分圃熘懈皇渲匾饬x。
 
　　資料來源：百度學(xué)術(shù)、上海市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究院
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