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少子壽命測(cè)試儀可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量

作者: 2018年08月06日 來(lái)源:全球化工設(shè)備網(wǎng) 瀏覽量:
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數(shù)字式硅晶體載流子復(fù)合壽命測(cè)試儀/少子壽命測(cè)試儀(鑄造多晶)型號(hào):KDKLT-200貨號(hào):ZH8204產(chǎn)品簡(jiǎn)介:100C型200型的的最大區(qū)別只是紅外激光管的功率大了一倍,加了個(gè)紅外地光照破除陷進(jìn)效應(yīng)τ:1~6000μsρ

數(shù)字式硅晶體載流子復(fù)合壽命測(cè)試儀/少子壽命測(cè)試儀(鑄造多晶) 
型號(hào):KDKLT-200 貨號(hào):ZH8204 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
100C型200型的的最大區(qū)別只是紅外激光管的功率大了一倍,加了個(gè)紅外地光照破除陷進(jìn)效應(yīng)
τ:1~6000μs   ρ>0.1Ω·cm太陽(yáng)能級(jí)硅片壽命,配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器,
本設(shè)備是按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國(guó)半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過(guò)數(shù)次全國(guó)十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法,特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測(cè)量;也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量,給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,因此制樣特別簡(jiǎn)便。
產(chǎn)品特點(diǎn):
可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無(wú)需拋光,直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量,儀器可按需方提供的有標(biāo)稱值的校準(zhǔn)樣品調(diào)試壽命值。
可測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,表面無(wú)需拋光、鈍化。
液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時(shí)在線顯示光電導(dǎo)衰退波形。
配置的紅外光源:0.904~0.905μm波長(zhǎng)紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng)較強(qiáng),有利于測(cè)量低阻太陽(yáng)能級(jí)硅晶體少數(shù)載流子體壽命,脈沖功率30W。
專門為消除陷進(jìn)效應(yīng)增加了紅外低光照。
測(cè)量范圍寬廣
測(cè)試儀可直接測(cè)量:
 a、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對(duì)壽命。
 b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω?cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
范    圍:0.5μs~6000μs
電 阻 率:ρ﹥0.1Ω·cm(非回爐料)
測(cè)試速度:1分鐘/片
紅外光源波長(zhǎng): 0.904~0.905μm
高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHZ
前置放大器,放大倍數(shù)約25,頻寬2HZ-2MHZ
可測(cè)單晶尺寸:斷面豎測(cè):
直徑25mm-150mm;厚度2mm-500mm
縱向臥測(cè):直徑5mm-20mm;長(zhǎng)度50mm-200mm
測(cè)量方式:采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式
測(cè)試分辨率:專用數(shù)字存儲(chǔ)示波器最小分辨率0.01μs 
設(shè)備重量:20 Kg 
儀器電源:電源電壓類型:?jiǎn)蜗?10~230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓,不能與未做保護(hù)措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源。


 

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