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安森美半導(dǎo)體推出3款高能效中壓脈寬調(diào)制降壓轉(zhuǎn)換器

作者： 2018年07月09日 來源：中國儀表網(wǎng) 瀏覽量：
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【中國儀表網(wǎng)儀表新品】2018年6月26日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。　　安森美半導(dǎo)體新的FAN6500X降壓轉(zhuǎn)換器系列支持
【中國儀表網(wǎng) 儀表新品】2018年6月26日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。
 

 
　　安森美半導(dǎo)體新的FAN6500X 降壓轉(zhuǎn)換器系列支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍，輸出電流高達10 A，輸出功率為100 W，結(jié)合經(jīng)歷時間測試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補償和強固的故障保護。安森美半導(dǎo)體集成了PowerTrench® MOSFET技術(shù)，以創(chuàng)建一種強固的集成方案，為DC-DC應(yīng)用提供領(lǐng)先業(yè)界的功率密度和能效。
 
　　FAN65008B/5A/4B PWM 降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)合安森美半導(dǎo)體的PowerTrench MOSFET工藝與領(lǐng)先業(yè)界的封裝技術(shù)在一個四方扁平無引線(PQFN)封裝中，提供電源路徑上極低的寄生效應(yīng)，使開發(fā)人員能夠?qū)崿F(xiàn)98.5%的峰值能效，比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更好的電磁干擾(EMI)。
 
　　這三個器件都支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍，適用于工業(yè)和消費電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，從基站電源到家庭自動化。它們也適用于電池管理系統(tǒng)，以及USB供電(PD)應(yīng)用。集成兩個LDO和一個片上電源路徑開關(guān)使設(shè)計人員能靈活地使用電源路徑從輸入電壓、降壓轉(zhuǎn)換器輸出或通過PVCC引腳為控制器供電。
 
　　高集成度使制造商可以采用FAN6500x系列在功率密度、物料單(BoM)成本、性能和靈活性之間取得適當(dāng)?shù)钠胶?。安森美半?dǎo)體通過充分利用PowerTrench MOSFET技術(shù)，成功地解決開發(fā)人員期望電源管理方案可提供的關(guān)鍵特性。
 
　　FAN6500x系列實現(xiàn)了一系列全面的功能以保護器件本身和任何下游電路不受損害。這些保護功能包括可調(diào)過流保護、熱關(guān)斷、過壓保護和短路保護。
 
　　安森美半導(dǎo)體移動、計算和云分部副總裁Richard Lu說：“隨著FAN6500X系列器件的發(fā)布，安森美半導(dǎo)體已生產(chǎn)了一系列強固的方案，以領(lǐng)先業(yè)界的能效、功率密度和靈活性幫助客戶滿足他們的中壓DC-DC需求。”
 
　　安森美半導(dǎo)體提供配套的評估板(FAN65004B-GEVB、FAN65005A-GEVB和FAN65008B-GEVB)。FAN65004B系列采用PQFN-35封裝，每3000片批量的單價為2.68美元。
 
　　關(guān)于安森美半導(dǎo)體
 
　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先于供應(yīng)基于半導(dǎo)體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國防應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項目，一套強有力的守法和道德規(guī)范計劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。
 
　　(原文標題：安森美半導(dǎo)體推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列提供領(lǐng)先市場的電流密度和全集成的MOSFET)
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