第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球關(guān)注

　　日前，中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在廣東省深圳市舉行，來(lái)自中國(guó)和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究的200多位知名專(zhuān)家學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界人士匯聚一堂，探討第三代半導(dǎo)體材料的前沿技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)。

　　國(guó)際權(quán)威信息技術(shù)研究與顧問(wèn)咨詢(xún)公司高德納發(fā)布的最新預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總營(yíng)收將達(dá)到4111億美元，較2016年增長(zhǎng)19.7%。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總營(yíng)收在2014年至2016年間，規(guī)模在3400億美元左右。2017年因內(nèi)存價(jià)格逐季大漲，帶動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2018年半導(dǎo)體市場(chǎng)可望增長(zhǎng)4%，達(dá)到4274億美元規(guī)模，繼續(xù)創(chuàng)新高。

　　記者從論壇上獲悉，近年來(lái)，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信、消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域，被視為支撐能源、交通、信息、國(guó)防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，已成為美國(guó)、歐洲、日本半導(dǎo)體行業(yè)的重點(diǎn)研究方向。

　　多位出席論壇的專(zhuān)家表示，目前中國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料研究上緊跟世界前沿，是為數(shù)不多的碳化硅材料襯底、材料外延產(chǎn)業(yè)化的國(guó)家。深圳青銅劍科技股份有限公司副總裁和巍巍表示，我國(guó)第三代半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制造工藝正向世界先進(jìn)水平邁進(jìn)，行業(yè)已迎來(lái)發(fā)展的春天。深圳市人大常委會(huì)副主任、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)主席蔣宇揚(yáng)表示，廣大科技企業(yè)與科技工作者要緊扣時(shí)代脈搏，進(jìn)一步加大研發(fā)投入、加強(qiáng)國(guó)際合作，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。