光電所在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進(jìn)展

作者： 2017年10月09日 來源： 瀏覽量：
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中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所薄膜光學(xué)技術(shù)研究室在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進(jìn)展，通過優(yōu)化紅外薄膜的鍍膜工藝，硫化鋅/氟化鐿多層膜的缺陷密度顯著降低。 　　紅外薄膜的缺陷是影響紅外薄膜光學(xué)性能和其穩(wěn)定

　　中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所薄膜光學(xué)技術(shù)研究室在低缺陷密度紅外薄膜制備工藝方面取得進(jìn)展，通過優(yōu)化紅外薄膜的鍍膜工藝，硫化鋅/氟化鐿多層膜的缺陷密度顯著降低。

　　紅外薄膜的缺陷是影響紅外薄膜光學(xué)性能和其穩(wěn)定性的重要因素，受到國內(nèi)外相關(guān)研究人員的關(guān)注。光電所研究團(tuán)隊通過優(yōu)化沉積沉積速率、沉積溫度和沉積方式，顯著降低了多層紅外薄膜的缺陷：多層紅外薄膜的缺陷密度降低了一個數(shù)量級。采用低缺陷密度工藝參數(shù)制備的164nm高反射膜，反射率大于99.9%，吸收小于100ppm。

　　研究成果發(fā)表在Surface & Coatings Technology上。

圖1.1064nm高反射膜的反射率光譜

圖2.1064nm高反射膜的吸收



 

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