化學(xué)所在有機半導(dǎo)體晶相調(diào)控方面取得系列進展

作者: 2017年08月24日 來源: 瀏覽量:
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有機分子大多是通過極弱的范德華力相互作用而形成晶體,因此多晶相是有機半導(dǎo)體材料中非常普遍的一種現(xiàn)象。不同堆積結(jié)構(gòu)的晶相具有不同的電子耦合作用,從而導(dǎo)致不同的電荷傳輸行為。如何可控組裝生長高遷移率的晶相

  有機分子大多是通過極弱的范德華力相互作用而形成晶體,因此多晶相是有機半導(dǎo)體材料中非常普遍的一種現(xiàn)象。不同堆積結(jié)構(gòu)的晶相具有不同的電子耦合作用,從而導(dǎo)致不同的電荷傳輸行為。如何可控組裝生長高遷移率的晶相一直以來都是分子電子學(xué)中一個極具有挑戰(zhàn)性的課題,涉及到分子結(jié)構(gòu)、晶體工程和超分子自組裝等多方面的內(nèi)容。

  中國科學(xué)院化學(xué)研究所有機固體實驗室研究人員利用溶液過飽和度、氣相擴散溫度梯度、表面納米溝槽等誘導(dǎo)效應(yīng),對有機半導(dǎo)體晶相生長的熱力學(xué)和動力學(xué)過程進行調(diào)控,獲得了堆積結(jié)構(gòu)緊密的單晶或晶態(tài)膜,表現(xiàn)出非常高的載流子遷移率。通過選擇不同的溶液濃度控制其過飽和度,首次可控地制備了硫雜并苯衍生物的不同晶相的單晶。β晶體(HOMO-1)能級之間的電子耦合作用明顯高于α晶體,并對電荷傳輸性能起主導(dǎo)作用,導(dǎo)致β單晶載流子遷移率高達18.9 cm2 V-1 s-1,證實了不同的堆積結(jié)構(gòu)能造成非簡并(HOMO-1)能級電子耦合作用的顯著差異,從而對電荷傳輸產(chǎn)生重要的影響,為有機半導(dǎo)體堆積結(jié)構(gòu)的調(diào)控提供了一種新的理念和思路(Adv. Mater. 2015, 27, 825)。

  進一步采用物理氣相傳輸?shù)姆椒?,通過控制溫度梯度,第一次選擇性地得到了酞菁氧鈦的α和β兩個晶相的單晶,構(gòu)筑了單晶場效應(yīng)晶體管。α晶相具有典型的二維電荷傳輸通道,最高載流子遷移率為26.8 cm2 V-1 s-1,是酞氰類有機半導(dǎo)體的最高值。β晶相具有三維電荷傳輸通道,層與層之間具有較強的電子耦合作用,其方向與電荷傳輸方向垂直,干擾了電荷傳輸行為,只獲得了最高0.1 cm2 V-1 s-1的遷移率。這一發(fā)現(xiàn)突破了“三維電荷傳輸半導(dǎo)體優(yōu)于低維半導(dǎo)體”的傳統(tǒng)看法,說明了分子層間的電子耦合作用對于電荷輸運具有重要的影響(Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 5206)。

  最近研究人員發(fā)現(xiàn)聚酰亞胺PI的熱前驅(qū)體聚酰胺酸PAA薄膜表面強極性和納米溝槽結(jié)構(gòu)能選擇性誘導(dǎo)并五苯分子站立生長,聚集形成有利于電荷傳輸?shù)恼幌?,并且能進一步形成尺寸大、晶界少的高晶態(tài)薄膜,遷移率高達30.6 cm2 V-1 s-1,是迄今為止并五苯薄膜器件的最高值,也是有機半導(dǎo)體最高遷移率的少數(shù)例子之一。進一步發(fā)現(xiàn)PAA能誘導(dǎo)結(jié)晶度更高的并四苯、酞菁銅等有機半導(dǎo)體晶態(tài)膜的生長,驗證了表面納米溝槽誘導(dǎo)作用的普適性,為構(gòu)筑高性能的有機半導(dǎo)體器件提供一種新的思路和方法(J. Am. Chem. Soc. 2017, 139, 2734)。

圖1 有機半導(dǎo)體堆積結(jié)構(gòu)多晶相示意圖

圖2 酞氰氧鈦兩種晶相單晶器件的電學(xué)行為與電子耦合作用網(wǎng)絡(luò)

圖3 并五苯在PI和PAA表面的生長方式、薄膜形貌、結(jié)晶性以及電學(xué)性質(zhì)



 

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