光電所研制出實用深紫外光刻機

作者: 2017年07月31日 來源: 瀏覽量:
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近日,中國科學院光電技術研究所微電子專用設備研發(fā)團隊研制成功波長254nm的實用深紫外光刻機(Maskaligner),光刻分辨力達到500nm。   Maskaligner因使用方便、效率高、成本低,一直是使用面最廣、使用數(shù)量最多

  近日,中國科學院光電技術研究所微電子專用設備研發(fā)團隊研制成功波長254nm的實用深紫外光刻機(Mask aligner),光刻分辨力達到500nm。

  Mask aligner因使用方便、效率高、成本低,一直是使用面最廣、使用數(shù)量最多的一種光刻設備。在現(xiàn)有的微納加工工藝中,光刻所采用的波段是決定光刻分辨力的重要因素之一。長期以來,國產Mask aligner均采用紫外波段(350nm至450nm),分辨力只能做到1μm以上。而對于200nm至1μm的微納器件復制,只能采用進口紫外投影光刻機,200nm以下分辨力則只能采用進口深紫外投影光刻機。光電所該型設備的成功研制,填補了國內商用化深紫外光刻機的空白,可低成本解決500nm以上器件的高效復制,具有很好的社會經濟效益。

  光電所微電子專用設備研發(fā)團隊積極響應客戶需求,大膽創(chuàng)新,成功解決了低成本深紫外光源、深紫外高均勻性勻光技術、新型深紫外介質膜鍍膜技術以及非球面準直技術等諸多難點。該型設備僅需通過更換濾光模塊,便可實現(xiàn)紫外、中紫外波段、深紫外波段的相互切換。同時,該型設備以光電所URE-2000系列紫外光刻機為基臺(已經銷售550臺,其中出口30多臺),配有高精度對準模塊、真空曝光模式、雙面曝光模式、納米壓印模式、接近式模式、數(shù)字設定曝光間隙等諸多功能供用戶選擇或定制,能滿足不同光刻工藝需求。該設備自動化程度高、操作十分方便、外形美觀。該型設備的成功研制,是光電所光刻機團隊將光刻工藝需求與設備研發(fā)緊密結合的產物,市場前景十分廣闊。

  光電所研發(fā)團隊還積極與潛在用戶單位進行需求溝通和工藝探索,利用中紫外波段(峰值波長310nm)在光敏玻璃(FOTURANII)上完成了高深寬比結構的制備直接光刻,設備已經銷售數(shù)臺,并與德國肖特(SCHOTT)公司達成合作協(xié)議。

(a)設備外觀圖;(b)設備輸出光譜實測曲線



 

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