光電所成功研制出實用深紫外光刻機

       近日，中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所微電子專用設(shè)備研發(fā)團隊研制成功波長254nm的實用深紫外光刻機(Mask aligner)，光刻分辨力達到500nm。
 (a)設(shè)備外觀圖；(b)設(shè)備輸出光譜實測曲線
 　　Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最廣、使用數(shù)量最多的一種光刻設(shè)備。在現(xiàn)有的微納加工工藝中，光刻所采用的波段是決定光刻分辨力的重要因素之一。長期以來，國產(chǎn)Mask aligner均采用紫外波段(350nm至450nm)，分辨力只能做到1μm以上。而對于200nm至1μm的微納器件復(fù)制，只能采用進口紫外投影光刻機，200nm以下分辨力則只能采用進口深紫外投影光刻機。光電所該型設(shè)備的成功研制，填補了國內(nèi)商用化深紫外光刻機的空白，可低成本解決500nm以上器件的高效復(fù)制，具有很好的社會經(jīng)濟效益。
 　　光電所微電子專用設(shè)備研發(fā)團隊積極響應(yīng)客戶需求，大膽創(chuàng)新，成功解決了低成本深紫外光源、深紫外高均勻性勻光技術(shù)、新型深紫外介質(zhì)膜鍍膜技術(shù)以及非球面準(zhǔn)直技術(shù)等諸多難點。該型設(shè)備僅需通過更換濾光模塊，便可實現(xiàn)紫外、中紫外波段、深紫外波段的相互切換。同時，該型設(shè)備以光電所URE-2000系列紫外光刻機為基臺(已經(jīng)銷售550臺，其中出口30多臺)，配有高精度對準(zhǔn)模塊、真空曝光模式、雙面曝光模式、納米壓印模式、接近式模式、數(shù)字設(shè)定曝光間隙等諸多功能供用戶選擇或定制，能滿足不同光刻工藝需求。該設(shè)備自動化程度高、操作十分方便、外形美觀。該型設(shè)備的成功研制，是光電所光刻機團隊將光刻工藝需求與設(shè)備研發(fā)緊密結(jié)合的產(chǎn)物，市場前景十分廣闊。
 　　光電所研發(fā)團隊還積極與潛在用戶單位進行需求溝通和工藝探索，利用中紫外波段(峰值波長310nm)在光敏玻璃(FOTURANII)上完成了高深寬比結(jié)構(gòu)的制備直接光刻，設(shè)備已經(jīng)銷售數(shù)臺，并與德國肖特(SCHOTT)公司達成合作協(xié)議。
 　　編輯點評
 　　深紫外光刻機具有使用方便、成本低、效率高的特點，一直是使用面最廣、使用數(shù)量最多的一種光刻設(shè)備。光電所該型設(shè)備的成功研制，填補了國內(nèi)商用化深紫外光刻機的空白，可低成本解決500nm以上器件的高效復(fù)制，具有很好的社會經(jīng)濟效益。未來，其市場應(yīng)用前景將十分廣闊。