“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”國家科技重大專項過驗

   光刻技術(shù)是集成電路制造產(chǎn)業(yè)的核心，決定著集成電路的元件特征尺寸。伴隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)摩爾定律延續(xù)，極紫外光刻被公認為是最具潛力的下一代光刻技術(shù)。6月21日，“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室組織專家在中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所召開了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目驗收會。評審專家組充分肯定了項目取得的一系列成果，一致同意項目通過驗收，認為該項目的順利實施將我國極紫外光刻技術(shù)研發(fā)向前推進了重要一步。
  “極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”國家科技重大專項過驗　　　　極紫外(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻是一種采用波長13.5nm極紫外光為工作波長的投影光刻技術(shù)，是傳統(tǒng)光刻技術(shù)向更短波長的合理延伸。作為下一代光刻技術(shù)，被行業(yè)賦予拯救摩爾定律的使命。極紫外光刻光學(xué)技術(shù)代表了當前應(yīng)用光學(xué)發(fā)展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)研究，項目指標要求高，技術(shù)難度大、瓶頸多，創(chuàng)新性高，同時國外技術(shù)封鎖嚴重?！　　　￠L春光機所自上世紀九十年代起專注于EUV/X射線成像技術(shù)研究，著重開展了EUV光源、超光滑拋光技術(shù)、EUV多層膜及相關(guān)EUV成像技術(shù)研究，形成了極紫外光學(xué)的應(yīng)用技術(shù)基礎(chǔ)。2002年，研制國內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置，實現(xiàn)了EUV光刻的原理性貫通。2008年國家“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項將EUV光刻技術(shù)列為“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”重要攻關(guān)任務(wù)。長春光機所作為牽頭單位承擔起了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目研究工作，成員包括中科院光電技術(shù)研究所、中科院上海光學(xué)精密機械研究所、中科院微電子研究所、北京理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)?！　　　№椖垦芯繄F隊歷經(jīng)八年的潛心鉆研，突破了制約我國極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測試等核心單元技術(shù)，成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV 光刻曝光裝置，國內(nèi)首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。建立了較為完善的曝光光學(xué)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)平臺，圓滿完成國家重大專項部署的研究內(nèi)容與任務(wù)目標，實現(xiàn)EUV 光學(xué)成像技術(shù)跨越，顯著提升了我國極紫外光刻核心光學(xué)技術(shù)水平。同時，項目的實施形成了一支穩(wěn)定的研究團隊，為我國能夠在下一代光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展奠定堅實的技術(shù)與人才基礎(chǔ)?！　　　◎炇諘?，長春光機所所長賈平誠摯地感謝了與會專家及各合作單位對項目的大力支持。賈平指出從時機及技術(shù)難度方面考慮，EUV項目的布局正處于窗口期，希望國家給予持續(xù)穩(wěn)定的支持。鼓勵項目參研單位進一步發(fā)揮EUV學(xué)科優(yōu)勢，鼓足勇氣并肩奮斗，在后續(xù)支持下取得更好的成果?！　　　?2專項總體組技術(shù)總師、中科院微電子所所長葉甜春做總結(jié)發(fā)言。葉甜春強調(diào)，在國際上EUV光刻大生產(chǎn)基地已經(jīng)建立的形勢下，我國EUV光刻研究要繼續(xù)堅持下去，面向未來產(chǎn)業(yè)工程化需求，著力點要放在必須掌握的核心技術(shù)和有可能取得創(chuàng)新的突破點。此外，葉甜春評價光刻機隊伍是承擔最核心、最高端、最艱巨任務(wù)的隊伍，也是專項團隊中最有戰(zhàn)斗力、最能抗壓、最值得信任的主力部隊。鼓勵項目團隊肩負重大任務(wù)的責任與使命感，繼續(xù)堅持勇攀高峰。　　　　02專項光刻機工程指揮部總指揮、前科技部副部長曹健林到會并致辭。作為國內(nèi)最熟悉EUV光刻的領(lǐng)域?qū)＜遥芙×謱ξ覈鳨UV光刻技術(shù)能力的提升感到欣喜，他認為中國已初步具備光刻技術(shù)的研發(fā)能力，并向著產(chǎn)業(yè)化目標前進，30年前的“中國光刻夢”正在逐步變?yōu)楝F(xiàn)實，通過我國光刻技術(shù)研發(fā)能力的建設(shè)初步樹立了堅持“中國光刻夢”的信心。　　　　編輯點評　　　　在長春光機所等參研單位的共同努力下，歷經(jīng)八年的戮力攻堅，圓滿地完成了預(yù)定的研究內(nèi)容與攻關(guān)任務(wù)，突破了現(xiàn)階段制約我國極紫外光刻發(fā)展的核心光學(xué)技術(shù)，初步建立了適應(yīng)于極紫外光刻曝光光學(xué)系統(tǒng)研制的加工、檢測、鍍膜和系統(tǒng)集成平臺，為我國光刻技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)?！　?/span>