高能同步輻射光源驗證裝置超導(dǎo)高頻腔測試達(dá)標(biāo)

　　3月15日，中國科學(xué)院高能物理研究所組織專家對166.6MHz超導(dǎo)高頻腔低溫垂直測試進(jìn)行了現(xiàn)場測試，該超導(dǎo)腔是高能同步輻射光源驗證裝置（HEPS-TF）中的核心研制內(nèi)容之一。測試專家組由來自于清華大學(xué)、北京大學(xué)和中科院高能所的專家組成，專家組聽取了課題組的介紹，對166.6MHz超導(dǎo)高頻腔進(jìn)行了現(xiàn)場測試。

　　測試結(jié)果表明，分別在4.2K和2K溫度下，166.6MHz beta=1的超導(dǎo)高頻腔垂直測試已經(jīng)達(dá)到了設(shè)計目標(biāo)，并具有較高的Q0值。在4.2K溫度下腔壓達(dá)到1.5MV，Q0值為2.4x109（設(shè)計目標(biāo)：1.5MV, Q0>5x108@4.2K）。4.2K下的低場表面電阻為10 nΩ，表面殘余電阻僅為2.3nΩ。

　　166.6MHz超導(dǎo)腔是國際上首個低頻（<200MHz）強流（流強>200mA）高功率（>150kW）beta=1的超導(dǎo)腔，4K和2K的測試結(jié)果表明指標(biāo)均達(dá)到了世界領(lǐng)先水平，是HEPS-TF項目的重要里程碑。該腔由北京高能銳新科技有限公司制造，高能所加速器中心高頻組負(fù)責(zé)完成超導(dǎo)腔的后處理工作。

166.6MHz beta=1的超導(dǎo)高頻腔垂直測試達(dá)到設(shè)計目標(biāo) 

166.6MHz超導(dǎo)高頻腔