中國存儲(chǔ)力量日漸崛起 產(chǎn)業(yè)化仍須靜待時(shí)機(jī)

　　自1999年始，全球存儲(chǔ)器業(yè)歷經(jīng)六次大的兼并與退出，廠家規(guī)模與數(shù)量減少，至今為止DRAM方面只剩下包括三星、海力士和美光在內(nèi)的三家企業(yè)，而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組?！　?br/>　　反觀國內(nèi)，近些年我國一直關(guān)注著存儲(chǔ)器的發(fā)展。2014年，國家頒布實(shí)施《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要（2015-2025）》，并成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。2015年，發(fā)展存儲(chǔ)器上升為國家戰(zhàn)略?！?br/>　　在國家政策的刺激下，2016年武漢、合肥、深圳、泉州等多地紛紛傳出加碼存儲(chǔ)器芯片的聲音，擬布局或開工建設(shè)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線。如北京有紫光集團(tuán)宣布投資300億美元做存儲(chǔ)器，武漢有武漢新芯準(zhǔn)備耗資240億美元打造國家級(jí)存儲(chǔ)器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晉江也在躍躍欲試?！　?br/>　　業(yè)內(nèi)人士表示，中國此輪“存儲(chǔ)熱潮”既說明《推進(jìn)綱要》第一階段實(shí)施工作已取得顯著成果，也預(yù)示著下一輪全球存儲(chǔ)器發(fā)展的中心將逐步向中國轉(zhuǎn)移。另一方面來看，隨著行業(yè)內(nèi)大動(dòng)作的頻繁出現(xiàn)，我國發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)形成了三路進(jìn)擊的趨勢(shì)，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也開始蠢蠢欲動(dòng)?！　?br/>　　盡管目前大陸在發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的道路上已經(jīng)邁出第一步，然而未來的前景依然迷霧重重。首先，在市場(chǎng)方面，根據(jù)最新的DRAMeXchange數(shù)據(jù)，受到智能手機(jī)加載內(nèi)存容量需不斷增長(zhǎng)的影響，第三季度移動(dòng)式內(nèi)存總產(chǎn)值達(dá)45.88億美元，季增16.8%?！　?br/>　　同樣受到智能手機(jī)需求的影響，第三季度NAND閃存開始漲價(jià)，使得NAND廠商營收季度增長(zhǎng)19.6%，營業(yè)利潤(rùn)率環(huán)比大幅增加。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第四季度各類電子終端設(shè)備的出貨量將進(jìn)入年度高峰期，預(yù)估整體NAND閃存將呈供不應(yīng)求的狀況，NAND閃存的合約價(jià)格漲幅將會(huì)更高?！　?br/>　　而從產(chǎn)業(yè)方面來看，無論是DRAM、NAND Flash，還是有可能帶來產(chǎn)業(yè)變革機(jī)會(huì)的3DNAND產(chǎn)品，都處在高度壟斷。目前，三星在3D NAND方面處于領(lǐng)先地位，主流技術(shù)已經(jīng)是64層的3D NAND，且其3D NAND產(chǎn)出己經(jīng)占到其NAND總出貨量的40%?！?br/>　　除此之外，技術(shù)人才的缺乏也是中國大陸發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的短板之一。DRAMeXchange分析師多次表示，人才將是中國大陸發(fā)展存儲(chǔ)業(yè)的一個(gè)瓶頸?？梢灶A(yù)見，未來市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體工程師的需求是龐大的，因此建立存儲(chǔ)器的人才培養(yǎng)機(jī)制，方是長(zhǎng)久之計(jì)?！　?br/>　　綜上所述，我國存儲(chǔ)器要實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)仍然需要較長(zhǎng)時(shí)間。但是伴隨著當(dāng)前的政府政策支持以及各地產(chǎn)學(xué)研的不斷努力，加之現(xiàn)在互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展和云計(jì)算的不斷成熟，假以時(shí)日，我國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)化必將迎來利好時(shí)機(jī)，我國的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也會(huì)在國際上占有一席之地。