半導(dǎo)體作為很多行業(yè)的材料之一,科學(xué)家對(duì)其的研究將永不停息。日前,利用鐵電聚合物極化對(duì)二維半導(dǎo)體帶隙調(diào)控及其高性能光電探測(cè)方面取得新進(jìn)展,對(duì)光電子器件及電子器件等領(lǐng)域有了推進(jìn)作用。
中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室胡偉達(dá)、王建祿等研究人員在利用鐵電聚合物極化對(duì)二維半導(dǎo)體帶隙調(diào)控及其高性能光電探測(cè)方面取得新進(jìn)展。相關(guān)成果發(fā)表在Advanced Materials(Advanced Materials 27,6575–6581(2015),DOI:10.1002/adma.201503340)上,并被編輯選為期刊卷首(DOI:10.1002/adma.201570283)。
近年來(lái),二維半導(dǎo)體材料在光電探測(cè)領(lǐng)域的研究受到高度關(guān)注。基于場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),利用外置柵壓耗盡二維半導(dǎo)體溝道的載流子,是該類光電器件實(shí)現(xiàn)高靈敏探測(cè)主要途徑。胡偉達(dá)、王建祿等構(gòu)建了鐵電聚合物P(VDF-TrFE)替代傳統(tǒng)氧化物的鐵電場(chǎng)效應(yīng)結(jié)構(gòu),利用鐵電極化形成的內(nèi)建電場(chǎng)耗盡溝道載流子,實(shí)現(xiàn)了低功耗、高可靠性、高靈敏光電探測(cè)器的制備(器件探測(cè)率達(dá)2.2×1012Jones,λ=635nm)。此外,鐵電極化形成的巨內(nèi)建電場(chǎng),可使得二維過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔锉砻嬷貥?gòu),從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)二維半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)控,進(jìn)而延展了過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔锒蚧f光電探測(cè)波長(zhǎng),探測(cè)截至波長(zhǎng)從850nm延伸至1550nm的短波紅外。這項(xiàng)工作提供了利用鐵電極化局域場(chǎng)操控二維材料能帶結(jié)構(gòu)及光電特性新方法,為推進(jìn)二維材料在光電子器件及電子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用都具有重要意義。
該項(xiàng)工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部和中科院的經(jīng)費(fèi)支持。
標(biāo)簽:二維半導(dǎo)體
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