多組元半導體納米材料的生長設計與光電性能調(diào)控研究獲進展

作者: 2015年12月14日 來源:互聯(lián)網(wǎng) 瀏覽量:
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半導體納米材料兼具半導體材料和納米材料的諸多優(yōu)良光電性能,廣泛地應用在微小尺寸晶體管、二極管、高靈敏度光電探測器、高性能太陽能電池、氣體傳感和清潔能源制備等領域,是近年來納米材料領域研究的熱點之一。但

  半導體納米材料兼具半導體材料和納米材料的諸多優(yōu)良光電性能,廣泛地應用在微小尺寸晶體管、二極管、高靈敏度光電探測器、高性能太陽能電池、氣體傳感和清潔能源制備等領域,是近年來納米材料領域研究的熱點之一。但由于本征半導體材料光學和電學性能單一,帶隙固定,其應用受到限制。將成分不同、光電性能差異明顯的半導體納米材料進行異質(zhì)生長和相互固溶,形成尺寸、形貌及成分可調(diào)的多組元異質(zhì)結(jié)和固溶體納米材料,就可以有效地調(diào)控半導體的禁帶寬度、發(fā)光波長、電輸運等性能,為半導體納米材料的光電性能調(diào)控提供新的思路。

  基于結(jié)構(gòu)及晶格匹配原理、充分考慮化學性能相近性及控制化學氣相沉積反應過程,中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家(聯(lián)合)實驗室功能薄膜與界面研究部研究員姜辛和劉寶丹,通過巧妙的實驗設計,先后實現(xiàn)了GaP-ZnSGaP-ZnSe不同二元半導體材料之間的相互固溶(圖1),并且發(fā)現(xiàn)當少量ZnS進入GaP晶格形成偽二元固溶體納米線之后,會引起電阻的急劇增加,誘導GaP納米線由半導體向絕緣體轉(zhuǎn)變;而ZnSe進入GaP晶格之后會引起GaP帶隙收縮,當ZnSe含量在x= 0.182-0.209區(qū)間變化時,GaP-ZnSe偽二元固溶體的禁帶寬度在1.95eV—2.2 eV內(nèi)連續(xù)可調(diào),發(fā)光波長在550nm—650nm內(nèi)連續(xù)變化(圖2)。此外,通過進一步控制ZnSGaP母相晶格中出現(xiàn)超飽和現(xiàn)象,又成功制備出GaP-ZnS核殼異質(zhì)結(jié)納米材料。這些成分與帶隙可調(diào)、光電性能可控的多組元固溶體和異質(zhì)結(jié)納米材料是制備高性能光電納米器件的理想材料。相關成果發(fā)表在Nano Letters (2013,13, 8590),Adv. Funct. Mater (2015, 25, 2543–2551)ACS Appl. Mater. Interfaces (2013, 5, 91999204)上。

  最近,他們同材料特種制備與加工研究部研究員張勁松、姜春海合作,以SiC納米線做模板,充分利用立方3C-SiC納米線層錯區(qū)域表面能高的特點來誘導六方GaN3C-SiC缺陷區(qū)域的優(yōu)先形核,成功地制備出立方碳化硅和六方氮化鎵的異質(zhì)結(jié)納米結(jié)構(gòu)(3C-SiC/WZ-GaN)。進一步控制不同階段生長過程,可以在SiC納米線表面獲得周期性分布的GaN六棱錐及3C-SiC/WZ-GaN核殼等形貌多變的異質(zhì)結(jié)納米結(jié)構(gòu)。這些具有獨特結(jié)構(gòu)和功能的半導體異質(zhì)結(jié)納米材料將為構(gòu)建新型光電納米器件如場效應管、光電探測器提供理想的模型材料。相關結(jié)果全文正式在線發(fā)表在美國化學會期刊《納米快報》(Nano Letters 2015, 15, 78377846. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02454)上。

  以上研究成果得到了國家自然科學基金、金屬所“優(yōu)秀學者”項目、金屬所創(chuàng)新基金重點項目和中科院青年創(chuàng)新促進會項目的資助。

  1. (GaP)x(ZnS)1-x納米線:(a) STEM照片及(b-f)各元素成分空間分布圖;(g)納米線徑向及(h)軸向線掃描結(jié)果

  2. (a)不同名義成分(GaP)1-x(ZnSe)x納米線光學照片;(b,c) (GaP)1-x(ZnSe)x納米線發(fā)光波長、帶隙寬度與成分間的關系

3. WZ-GaN/3C-SiC異質(zhì)結(jié)納米線生長模型圖

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標簽:半導體納米材料

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