10納米碳納米管CMOS器件面世

作者： 2015年05月14日 來源：互聯(lián)網 瀏覽量：
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近日，在北京市科委先導與優(yōu)勢材料創(chuàng)新發(fā)展專項支持下，北京大學彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米碳納米管互補金屬氧化物半導體（CMOS）器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。

    近日，在北京市科委先導與優(yōu)勢材料創(chuàng)新發(fā)展專項支持下，北京大學彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米碳納米管互補金屬氧化物半導體（CMOS）器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團隊還在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路。

　　下一步，該團隊將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標準的碳基CMOS器件技術加工平臺，并基于該平臺開發(fā)碳納米管CPU，最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領域的應用。

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