造出能隙
拉伸二硫化鉬晶體造出能隙可變半導(dǎo)體(2015-06-30)
近日，美國(guó)斯坦福大學(xué)一科研團(tuán)隊(duì)首次通過(guò)拉伸二硫化鉬的晶體點(diǎn)陣，“扯”出能隙可以變化的半導(dǎo)體。利用這種半導(dǎo)體，科學(xué)家有望制造出能夠吸收更多光能的太陽(yáng)能電池?！?a href='http://www.bhmbl.cn/news/d165593.html' target='_blank' class='iii'>[詳情]
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