微電子所在新型FinFET器件工藝研究中取得突破(2016-12-29)

近日，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究中取得新進展。 　　隨著主流FinFET器件工藝的持續(xù)微縮，其在柵控與性能提升上面臨越來越大的技術(shù)挑戰(zhàn)。微…[詳情]

四川攜手中科院微電子所 共建集成電路產(chǎn)業(yè)基地(2016-12-06)

【中國儀表網(wǎng)儀表產(chǎn)業(yè)】11月23日，四川省經(jīng)信委和中科院微電子所簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將重點在集成電路產(chǎn)業(yè)開展深度合作，共同打造中科院微電子產(chǎn)業(yè)西南基地，協(xié)議還涉及智能制造、物聯(lián)網(wǎng)、人才、市場…[詳情]

微電子所揭示阻變存儲器失效機制(2016-11-30)

近日，中國科學(xué)院微電子研究所劉明課題組在阻變存儲器（RRAM）研究方向取得新進展，揭示了陽離子基阻變存儲器復(fù)位失效現(xiàn)象的微觀機制，通過增加離子阻擋層，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17…[詳情]

中芯國際將與中科院微電子所在傳感器領(lǐng)域展開合作(2016-11-21)

【中國儀表網(wǎng)儀表產(chǎn)業(yè)】中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際”），世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路晶圓制造企業(yè)，與中國科學(xué)院微電子…[詳情]

微電子所在阻變存儲器研究領(lǐng)域取得新進展(2016-06-28)

日前，中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室研究員劉明團隊在阻變存儲器（RRAM）三維垂直交叉陣列研究領(lǐng)域取得新進展，提出了自對準(zhǔn)高性能自選通阻變存儲器結(jié)構(gòu)，為…[詳情]

微電子所在電力線載波通信技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面取得進展(2016-06-27)

近日，中國科學(xué)院微電子研究所智能感知中心副研究員喬樹山的科研團隊在應(yīng)用于智能電網(wǎng)的電力線載波通信技術(shù)研究中取得了多項突破性科研成果，開發(fā)了多款電力線載波通信芯片，在智能電網(wǎng)信息采集系…[詳情]

《微電子熱式燃?xì)赓|(zhì)量流量計》標(biāo)準(zhǔn)編制會議召開(2016-05-30)

根據(jù)工業(yè)及信息化部工信廳科（2014）236號文“工業(yè)和信息化辦公廳關(guān)于印發(fā)2014年第四批行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂工作計劃的通知”，由重慶前衛(wèi)克羅姆表業(yè)有限責(zé)任公司、重慶前衛(wèi)科技集團有限公司共…[詳情]

微電子所成功研制30Gsps超高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(2016-05-10)

超高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）和數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器（DAC）是下一代光通信及無線寬帶領(lǐng)域的核心芯片，在大數(shù)據(jù)中心、以太網(wǎng)光互聯(lián)、短距離互聯(lián)通訊等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。美、日等國自上世紀(jì)60、70年代起始終占據(jù)…[詳情]

微電子所在高精度三軸加速度計產(chǎn)品工藝研發(fā)方面取得進展(2016-05-05)

近日，中國科學(xué)院微電子研究所研究員陳大鵬團隊聯(lián)合江蘇艾特曼電子科技有限公司，依托研究所8英寸CMOS工藝平臺，完成了高精度三軸加速度計產(chǎn)品工藝的開發(fā)與驗證，經(jīng)客戶測試，器件性能良好，符合設(shè)計…[詳情]

微電子所銦鎵砷MOSFET射頻開關(guān)芯片研究獲進展(2016-04-18)

近日，中國科學(xué)院微電子研究所科研成果——銦鎵砷（InGaAs）MOSFET射頻開關(guān)芯片被國際半導(dǎo)體雜志Semiconductor Today 進行了專題報道。…[詳情]